金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“种沟槽式碳化硅场效应晶体管及制备方法”的专利，公开号CN 119317134 A，申请日期为2024年10月。

　　专利摘要显示，一种沟槽式碳化硅场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明针对于沟槽栅SiC MOSFET器件，通过在两个距离相近的沟槽区一侧内表面注入形成高掺杂的P+区，并同时在P+区顶部形成欧姆接触实现了接地处理，利用P+区与Drift层产生的耗尽层扩展包裹沟槽底部拐角的栅氧化层，从而实现对沟槽式器件的沟槽栅氧化层的保护，避免电场集中从而发生提早击穿。并且这种相邻的沟槽区形成的P+区，也尽可能降低了P+区的面积使用，从而一定程度上提高了器件性能，降低器件成本。

　　天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目149次，知识产权方面有商标信息5条，专利信息672条，此外企业还拥有行政许可225个。

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