国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121013359 A，申请日期为2024年5月。

　　专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部，所述鳍部包括牺牲层以及位于所述牺牲层表面的沟道层；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的多个分立的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面，相邻所述伪栅结构以及相邻所述鳍部之间具有隔离开口；在所述隔离开口内沉积隔离层。通过在形成伪栅结构之后形成隔离层，所述隔离层是在隔离开口内沉积形成的，且所述隔离开口位于相邻所述伪栅结构以及相邻所述鳍部之间，避免了隔离层与所述鳍部的接触，增大了伪栅结构与鳍部的接触面积，进而增大后续形成的金属栅极与沟道层的接触面积。

　　天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线条，此外企业还拥有行政许可446个。

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