国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件及其制作方法”的专利，公开号CN121335100A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种闪存器件及其制作方法中，在刻蚀所述栅极叠层，形成浮栅和控制栅的同时，继续刻蚀部分厚度的衬底，保证后续形成源漏区低于沟道表面，改善共位线接触孔相邻行的编程串扰，且该制作工艺上可以无需新增掩膜，且可以通过调整轻掺杂源漏区的离子注入角度，纵向连接沟道和源漏,从而降低沟道电阻。

　　天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线条，此外企业还拥有行政许可429个。

　　华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。

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