国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121285001A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，通过在势垒层中形成具有刻蚀选择比(一般刻蚀选择比比较高)的阻挡层，使其既具有势垒层的作用同时具有刻蚀停止层的作用，改变了现有的栅极材料层与势垒层之间由于栅极材料层很难刻蚀导致两者之间的刻蚀界面很难控制，变为第二势垒层与阻挡层之间的刻蚀界面，基于阻挡层优异的刻蚀选择比作用，可有效保证刻蚀停止在阻挡层表面上，降低甚至避免由阻挡层及第一势垒层组成的势垒层受损而影响其下方电子通道的性能；同时栅极结构下方还增加一层第二势垒层，还可通过对该第二势垒层的材料、厚度、掺杂等参数进行自由设计调整以调控沟道二维电子气的浓度，拓宽器件适用性。

　　天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目13次，财产线条，此外企业还拥有行政许可9个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。