国家知识产权局信息显示，深圳真茂佳半导体有限公司申请一项名为“一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备方法”的专利，公开号CN121368153A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本申请提及一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备方法，该结构包括具有外延层的衬底，外延层表面延伸形成有耗尽沟道注入层在外延层内，外延层表面定义有中心区域及外围区域。外围区域下方延伸形成有阱区在耗尽沟道注入层中，耗尽沟道注入层及阱区的表面延伸形成有源极注入层在耗尽沟道注入层及阱区中。在中心区域下方形成有沟槽，沟槽贯穿源极注入层及耗尽沟道注入层并延伸至外延层，沟槽的侧壁与阱区之间留存有耗尽沟道注入层以形成耗尽沟道，耗尽沟道的厚度为0.1‑2um，沟槽底面延伸形成有栅氧保护结在外延层中，沟槽内设有栅极。本申请具有通过精准的控制工艺形成的特定厚度的耗尽沟道及形成的栅氧保护结能够优化栅极附近的电场的效果。

　　天眼查资料显示，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参与招投标项目4次，财产线条，此外企业还拥有行政许可16个。

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